参考消息网4月11日报道 据美国《华尔街日报》网站4月5日报道，据知情人士透露，三星电子有限公司拟将其在美国得克萨斯州的半导体投资总额增加超过一倍，至约440亿美元，这是美国寻求扩大生产尖端芯片方面取得的重大突破。

这些知情人士说，这家韩国公司的新支出将集中在得州泰勒市，三星正在那里建设半导体中心，附近还有其他现有业务。新增设施包括新芯片制造工厂，以及先进封装和研发设施。

三星是能够生产对人工智能和国防至关重要的先进逻辑半导体公司之一。三星、英特尔和台积电这些公司处于拜登政府加强美国芯片制造能力的核心位置。

上述知情人士表示，为资助更广泛的得州扩建计划，预计三星将从美国芯片法案获得数十亿美元补贴。三星与美国商务部的谈判仍在进行中。

据透露，宣布三星扩大投资的活动预计于4月15日在泰勒市举行。

两年多前，三星曾承诺向泰勒市投资170亿美元旨在建一家尖端芯片制造工厂，这次就是在此基础上追加的投资。

该工厂于2022年破土动工，计划最早于今年开始大规模生产。据知情人士透露，由于通货膨胀和其他因素，建造第一家芯片制造厂的成本有所增加，需要数十亿美元的额外投资。

知情人士说，第二家位于泰勒的芯片厂预计将耗资逾200亿美元。三星的研发工作预计将在这两家工厂进行。它计划建造的先进封装设施将耗资约40亿美元。

三星5日早些时候表示，预计第一季度经营利润增长将超过9倍，达到约49亿美元。随着芯片行业从长期低迷中复苏，这一数字超过行业分析师预期。（编译/许燕红）