新华社北京5月24日电　路透社23日报道，韩国三星电子公司最新高带宽存储(HBM)芯片尚未通过美国英伟达公司针对人工智能处理器的检测，主要问题关联芯片发热和能耗。三星电子则称，所谓芯片因发热和能耗问题未能过检说法“不实”。

　　路透社援引三名知情人士的话报道，发热和能耗问题影响三星电子HBM3芯片和HBM3E芯片通过英伟达检测。这也是三星电子芯片未能通过英伟达检测原因首次遭曝光。三星电子一直试图推动上述两款芯片通过英伟达检测。

　　暂不清楚相关问题能否轻易解决。HBM3芯片使用第四代HBM标准，相关标准主要适用于人工智能图形处理器。HBM3E芯片使用第五代HBM标准，预计今年进入市场。三星电子打算今年第二季度开始量产HBM3E芯片。

　　路透社引述三名知情人士说法报道，芯片未能达到英伟达要求，已在业内和投资圈引发担忧。

　　不过，三星电子24日发表声明称，所谓芯片因发热和能耗问题尚未通过检测的说法“不实”，“检测正顺利、按计划推进”。

　　美国消费者新闻与商业频道21日报道，在HBM芯片领域保持领先的韩国SK海力士公司一直是英伟达HBM3芯片唯一供应商，而英伟达考虑把三星电子也列为供应商。

　　路透社23日援引分析师的话报道，SK海力士2013年最先研发出HBM芯片，过去十年间在相关研发领域投入的时间和资源远超三星电子。

　　为扭转企业去年因半导体市场行情恶化出现的逆差，三星电子21日宣布，任命未来事业规划团团长全永铉为数字解决方案部门负责人。

　　韩国总统尹锡悦23日宣布，将斥资26万亿韩元（约合1380.6亿元人民币），用于扶持韩国芯片产业。韩联社报道，上述扶持方案包括向芯片制造商、原料供应商和芯片设计企业在融资、研发和基础设施方面提供支持。（卜晓明）